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场效应晶体管（FET）是现代电子电路中的核心元件之一。但不同类型的FET性能差异显著，适用场景也有所不同。本文将对JFET、MOSFET、LDMOS、GaN FET、MESFET和HEMT等主流FET进行性能对比，并为设计者提供实用的选型建议。     1. 主流FET类型与特点 JFET： 高输入阻抗、低噪声，适合模拟放大 MOSFET： 用途最广的通用型FET，适用于数字和电源电路 LDMOS： 高功率射频应用中常用，线性好、电压耐受高 GaN FET： 适合高频高功率场景，开关速度快、效率高 MESFET： 常用于微波高速电路 HEMT： 高电子迁移率，适用于5G、卫星、雷达系统     2. 不同应用的推荐FET ① 数字电路（逻辑控制） 推荐： 逻辑电平N沟MOSFET（如IRL系列） 原因： 门极阈值电压低（≤2V），可由3.3V或5V单片机直接驱动 ② 电源电路（开关电源、马达驱动） 推荐： 功率型MOSFET（如IRF、STP系列） 原因： 高漏极电流、低导通电阻、开关速度快 ③ 射频电路（发射器、放大器） 推荐： LDMOS或GaN FET 原因： 输出功率大，线性好，耐热性强     3. GaN vs LDMOS vs MOSFET 性能比较表 对比项目 MOSFET LDMOS GaN FET 频率范围 几十MHz 数百MHz至GHz GHz以上 开关速度 中等 快 非常快 效率 中等 高 极高 成本 低 中等 高     4. 总结：如何选对FET 追求效率和快速控制： 选择GaN FET 传统射频放大电路： 选用LDMOS 通用开关、电源应用： MOSFET最佳 ...